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注册制新股纵览:锴威特:功率半导体产品序列丰富 高可靠领域国产化替代助发展


【资料图】

本期投资提示:

AHP 得分——剔除流动性溢价因素后,锴威特2.05 分,位于总分的33.4%分位。锴威特将于8 月3 日询价,并在科创板上市。剔除流动性溢价因素后,我们测算锴威特AHP 得分为2.05 分,位于科创体系AHP 模型总分33.4%分位,位于下游偏上水平。

考虑流动性溢价因素后,我们测算锴威特AHP 得分为2.08 分,位于科创体系AHP 模型总分的37.1%分位,处于中游偏下水平。以80%入围率计,中性预期情形下,锴威特网下A、B 两类配售对象的配售比例分别是:0.0386%、0.0331%。

产品序列丰富,功率IC 产品实现国产替代。公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售。功率器件方面,公司平面MOSFET 产品覆盖40V-1500V 电压段,已形成全系列功率MOSFET 产品系列,并且拥有突出的高温可靠性。同时,公司MOSFET 产品正在向沟槽型MOSFET 和超结MOSFET 进行延伸,SiC 功率器件也已顺利实现产品布局并进入产业化阶段,是国内为数不多的具备650V-1700V SiC MOSFET 设计能力的企业之一。功率IC 方面,公司已形成80 余款功率IC 产品,主要包括PWM 控制IC 和栅极驱动IC 等,关键指标已达到行业先进厂商对标产品的水平,开发的部分功率IC 产品在高可靠领域细分市场替代了国外竞品,实现了国产自主可控。

多项核心技术国际先进,自主搭建工艺设计平台。公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业,已积累了10 项核心技术,获得71 项授权专利(其中发明专利28 项)和53 项集成电路布图设计专有权。在功率器件方面,公司已同时具备硅基及SiC基功率器件的设计、研发能力,积累了多项具有原创性和先进性的核心技术,其中3 项达到国际先进水平,1 项达到国内领先水平,使公司产品关键技术指标达到了与国际领先厂商同类产品的水平。在功率IC 方面,公司基于晶圆代工厂0.5um 600V SOI BCD和0.18um 40V BCD 等工艺自主搭建了设计平台,并与晶圆代工厂深度合作,可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程,进一步优化产品性能。

实现广泛的客户覆盖,高可靠领域国产化替代助发展。公司已与超过300 家客户进行合作,产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域,客户包括以晶丰明源、必易微、芯朋微为代表的芯片设计公司及多家高可靠领域客户,并且产品已被小米、美的、雷士照明等终端客户所采用。随着功率半导体在下游领域的广泛应用,以及在高可靠领域国产化替代的提速,为公司快速发展壮大提供了广阔的市场机遇。公司近年来也持续加大了对工业控制和高可靠领域的客户的开拓力度,2021 年公司工业控制和高可靠领域的客户数量分别为81 个和18 个,到2022 年分别增加至121 个和75 个,取得了良好的成效。随着本次募投项目“SiC 功率器件研发升级项目”的实施,公司将完成 SiC 功率器件的产品升级及产品系列化的研发和推广,SiC 功率器件将成为公司未来业务的重要增长点。

营收规模较小,2021 年公司实现扭亏为盈,22 年毛利率、研发支出占比低于可比公司平均。2020-2022 年,公司营收、归母净利润规模低于可比公司平均,期间营收复合增速低于可比公司均值,2021 年公司实现扭亏为盈。期间,公司综合毛利率逐年上升但低于可比公司平均,仅2020 年研发支出占营收比重高于可比公司平均。

风险提示:锴威特需警惕收入增长可持续性、存货滞销及减值、毛利率及盈利能力下降、新产品研发及产业化不及预期等风险。

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